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平面型的或非平面型的基于FET的静电放电保护器件

摘要

本发明的实施例涉及一种静电放电(ESD)保护器件,具有连接至第一电节点的源极区、连接至与第一电节点不同的第二电极的第一漏极区,以及位于源极区和第一漏极区之间的扩展漏极区。扩展漏极区包括N个电浮动掺杂区和连接至第二电极的M个栅极区,其中,N和M是大于1的整数并且N等于M。N个电浮动掺杂区的每一个电浮动掺杂区与M个栅极区的每一个栅极区相间布置。本发明的实施例还涉及一种集成电路(IC)。

著录项

  • 公开/公告号CN108122902A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201710733120.6

  • 发明设计人 彭柏霖;杨涵任;李介文;竹立炜;

    申请日2017-08-24

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;李伟

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2023-06-19 05:36:53

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