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公开/公告号CN108129146A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 华东理工大学;
申请/专利号CN201810058238.8
发明设计人 李蔚;傅文平;
申请日2018-01-22
分类号
代理机构
代理人
地址 200237 上海市徐汇区上海徐汇区梅陇路130号
入库时间 2023-06-19 05:32:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-08
公开
机译: 高介电常数,低介电损耗的陶瓷材料,用作DRAM的电荷存储材料,包含钛酸锶和铌酸铅镁的混合物
机译: 高介电常数低介电损耗的PFN介电陶瓷的制备方法
机译: 具有高介电常数和低介电损耗的PFN介电陶瓷的制备方法
机译:(1-x)Bi_(0.5)的高介电常数和低介电损耗(Na_(0.48)K_(0.52))_(0.5)TiO_3-xBazro_3无铅陶瓷
机译:不同烧结大气下的SR0.985CE0.0111TiO3陶瓷的高介电常数和低介电损耗的起源
机译:SiO2-Ti0.98in0.01NB0.01O2复合陶瓷,具有低介电损耗,高介电常数和增强击穿电场
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机译:具有高介电常数和低介电损耗特性的聚合物纳米复合材料。
机译:高介电常数二氧化钛陶瓷基板的研制与表征
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机译:利用γ辐照开发高介电常数,低介电损耗聚合物。