一种基于双元素相互扩散制作半导体激光器腔面结构的方法

摘要

本发明提出一种基于双元素相互扩散制作半导体激光器腔面结构的方法。本方法根据半导体激光器中各原子的不同扩散机理，在激光增益区上生长一层P‑型掺杂扩散源，而在非激光增益区上，如腔面或激光波导区二侧，生长一层N‑型掺杂扩散源，这样通过扩散退火，一方面在增益区由于P‑型杂质原子和N‑型杂质原子的相对扩散，产生空穴和间隙原子的涅灭结合，有效地阻止有源层的无序化，减少有源层的缺陷；另一方面，在非增益区N‑型杂质原子上下相互扩散，大大增强了基体原子的无序化，使腔面处的有源层消失变成了非吸收层；再者，在P‑型和N‑型扩散源交接处产生的类似PNP结界面，能有效阻止载流子向腔面运动，从而大大提高激光器控腔面光学灾变损伤能力。