梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制

摘要

本文采用求解光场方程，载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制．计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响．结果表明，在这种结构的半导体激光器中，一阶模的辐射损耗总比基模大，因而可以很好地抑制高阶横模．增大限制区的倾角，虽然有利于实现单基模工作，但是因为基模的辐射损耗也随之增大，从而激光器的阈值电流也相应增大．对于一定的有源区半径，我们找到了不同限制区倾角时单基横模工作的注入电流区域．从而可以确定在特定的注入电流范围内实现单基横模的最佳限制区倾角．