新型GaN基LED器件结构

摘要

本发明涉及一种新型GaN基LED器件结构。该器件结构包括：导电衬底；反光层，设置于所述导电衬底上；金属电极层，设置于所述反光层上；多个蓝光外延层和多个GaN紫外光外延层，依次间隔排列设置于所述金属电极层上；第一阴极电极，设置于所述蓝光外延层上；第二阴极电极，设置于所述GaN紫外光外延层上；阳极电极，设置于所述导电衬底下。本发明将GaN外延片从蓝宝石衬底转移到具有良好电、热导特性的衬底材料上，可以提升器件的散热效率，延长器件的使用寿命。