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公开/公告号CN108075015A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院深圳先进技术研究院;
申请/专利号CN201711331182.0
发明设计人 冯丽丽;李文杰;杨春雷;钟国华;周康;吴迪;冯叶;宋秋明;
申请日2017-12-13
分类号
代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司;
代理人孙伟峰
地址 518055 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号
入库时间 2023-06-19 05:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20171213
实质审查的生效
2018-05-25
公开
机译: 包含CDS /(ZN(S,O)缓冲层的黄铜矿型薄膜太阳能电池及其生产方法
机译: 具有CdS /(Zn(S,O)缓冲层)的黄铜矿薄膜太阳能电池及其制造工艺
机译:Zn(O,S)缓冲层和Cu ZnSnS太阳能电池CdS缓冲层的厚度变化
机译:基于Zn(O,S)缓冲层的CIGS太阳能电池与基于CdS缓冲层的CIGS太阳能电池的比较研究
机译:(Zn,Mg)O / CdS多缓冲层在Cu2ZnSn(S,Se)(4)太阳能电池中的应用
机译:通过Zn_(0.8)Mg_(0.2)第二缓冲层,通过薄CDS缓冲层提高Cu(In,Ga)Se_2 Se_2太阳能电池的效率
机译:具有Te背接触缓冲层的CdTe太阳能电池的性能和亚稳性
机译:具有ZnS缓冲层的CIGS太阳能电池的建模和性能分析数据集
机译:Cu2ZnSnS4太阳能电池的Zn(O,S)缓冲层和CdS缓冲层的厚度变化
机译:具有锌锡酸盐缓冲层的Cds / CdTe薄膜太阳能电池