首页> 中国专利> 太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的制备方法及其应用

太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的制备方法及其应用

摘要

本发明公开了太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的制备方法,包括以下步骤:加热水浴容器内的水,使水的温度达到水浴温度;利用水对硫脲溶液进行加热,使硫脲溶液开始分解;利用水对硫酸镉溶液进行预热;将氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合,并将生长基体浸入氨水、硫脲溶液和硫酸镉溶液混合的混合溶液中,反应后在生长基体上生成CdS薄膜。本发明还公开了由上述制备方法获得的太阳能电池CdS/Zn(SO)混合缓冲层的应用。本发明中的混合缓冲层CdS/Zn(SO)比现有的CdS缓冲层在短波处的透过有明显的增强,在CZTS薄膜太阳能电池上应用后发现短路电流得到很大提升;同时也降低了有毒物质Cd的用量;与Zn(SO)缓冲层相比,有CdS过渡层的CZTS薄膜太阳能电池界面性能方法有很大提升。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20171213

    实质审查的生效

  • 2018-05-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号