化学溶池法制备CuInGaSe2太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的研究进展

摘要

ZnS无毒、来源丰富、价格低廉、禁带宽度大,可提高电池的蓝光光谱响应、开路电压和短路电路,减小电子亲和势,电池转换效率高等。这些优点使其成为近年来CuInGaSe2太阳能电池缓冲层的研究热点之一。本文综述了化学溶池法(CBD)制备太阳能电池缓冲层Zns薄膜的研究现状,探讨了CBD法存在的不足、成膜机制和计算思路,其中就后两者提出了新见解,了解了以它为缓冲层的CuInGaSe2太阳能电池的转换效率,指出了化学溶池制备ZnS薄膜今后的研究和发展方向,并提出CBD法制备的ZnS本质上是一种梯度膜。