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Chalcopyrite thin film solar cell with CdS / (Zn (S, O) buffer layer and associated manufacturing process

机译:具有CdS /(Zn(S,O)缓冲层)的黄铜矿薄膜太阳能电池及其制造工艺

摘要

The invention is based on a chalcopyrite thin-film solar cell with a CIS absorber layer, a buffer layer applied directly on the CIS absorber layer and a ZnO-containing window layer applied directly on the buffer layer. The solar cell is characterized by the fact that the buffer layer consists of CdS and Zn (S, O), whereby a concentration of CdS decreases from the CIS absorber layer to the ZnO-containing window layer.
机译:本发明基于一种黄铜矿薄膜太阳能电池,其具有CIS吸收层,直接施加在CIS吸收层上的缓冲层和直接施加在该缓冲层上的含ZnO的窗口层。太阳能电池的特征在于缓冲层由CdS和Zn(S,O)组成,从而CdS的浓度从CIS吸收层到含ZnO的窗口层降低。

著录项

  • 公开/公告号DE102009054973A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBH;

    申请/专利号DE20091054973

  • 发明设计人

    申请日2009-12-18

  • 分类号H01L31/06;H01L31/18;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 17:47:37

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