公开/公告号CN108054169A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 南京邮电大学;
申请/专利号CN201711128735.2
申请日2017-11-14
分类号H01L27/11517(20170101);H01L27/28(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);
代理机构32207 南京知识律师事务所;
代理人武政
地址 210046 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院
入库时间 2023-06-19 05:20:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/11517 申请日:20171114
实质审查的生效
2018-05-18
公开
公开
机译: 一种用埋入式浮栅形成浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的自对准方法,并由此形成了一种存储器阵列
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 一种半导体非易失性存储器件,其浮栅型参考单元在控制栅电极和浮栅电极之间短路