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一种基于纳米浮栅有机场效应晶体管存储器及制备方法

摘要

本发明是基于有机小分子的有机场效应晶体管存储器,通过浮栅‑遂穿层一体化构造的器件结构。整个器件从上到下依次是:源漏电极、半导体层、浮栅‑遂穿层、栅绝缘层,其中浮栅层与遂穿层共同构成构成电荷存储层。本发明旨在通过简单的溶液悬涂工艺形成一种纳米结构避免了复杂的纳米技术制备薄膜,实现较大的存储窗、开关比(105)、具有较好的稳定性反复擦写耐受性、实现了光擦除有利于信息加密,并且成本较低可以大面积商业推广、生产。

著录项

  • 公开/公告号CN108054169B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京邮电大学;

    申请/专利号CN201711128735.2

  • 申请日2017-11-14

  • 分类号H01L27/11517(20170101);H01L27/28(20060101);H01L51/05(20060101);H01L51/30(20060101);

  • 代理机构32207 南京知识律师事务所;

  • 代理人武政

  • 地址 210046 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院

  • 入库时间 2022-08-23 11:32:42

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