具有集成MOS二极管的碳化硅MOSFET

摘要

采用栅极‑源极短路模式的单片集成MOS沟道作为功率MOSFET的第三象限传导路径的二极管。MOS二极管和MOSFET可以构造成包括分裂单元和沟槽的各种配置。器件可以由碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、金刚石或类似的半导体形成。MOS二极管的低存储电容和低拐点电压可以通过多种方式实现。MOS二极管可以用沟道迁移率增强材料来实现，并且/或者具有非常薄的/高的介电常数的栅极电介质。MOSFET栅极导体和MOS二极管栅极导体可以由掺杂有相反掺杂剂类型的多晶硅制成。MOS二极管电介质的表面可以被注入铯。