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用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结

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摘要

本发明的名称是用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结。公开了包括p‑掺杂的AlGaInAs隧道层和n‑掺杂的InP隧道层的II型隧道结。进一步公开了在光电子电池之间并入高带隙II型隧道结的太阳能电池。

1. 用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结 [P] . 中国专利： CN107863400A . 2018-03-30
2. 用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结 [P] . 中国专利： CN103189998A . 2013-07-03
3. TYPE-II HIGH BANDGAP TUNNEL JUNCTIONS OF InP LATTICE CONSTANT FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS [P] . 美国专利： US2012125392A1 . 2012-05-24

机译：用于多结太阳能电池的InP晶格常数的II型高带隙隧道结
4. The high band gap tunnel knot of the Type II of InP lattice constants for multijunction solar cell [P] . 韩国专利： KR101908742B1 . 2018-10-16

机译：多结太阳能电池InP晶格常数II型的高带隙隧道结
5. TYPE-II HIGH BANDGAP TUNNEL JUNCTIONS OF INP LATTICE CONSTANT FOR MULTIJUNCTION SOLAR CELLS [P] . CA2810895C . 2018-10-16

机译：多晶太阳能电池的INP晶格常数的II型高带隙隧道结