具有应变沟道的鳍式场效应晶体管

摘要

本发明涉及具有应变沟道的鳍式场效应晶体管，揭示一鳍式场效应晶体管(FinFET)的设备结构以及一FinFET的设备结构的制造方法。形成由具有第一晶体结构的半导体材料所组成的鳍片。形成具有与该鳍片对齐的开口的介电层。一虚拟栅极结构从该介电层中的开口移除。于移除该虚拟栅极结构之后，对齐该开口的该鳍片的一部分植入非掺杂物离子，以非晶化该鳍片的该半导体材料的该第一晶体结构。于植入该鳍片的该部分之后，退火该鳍片的该部分以使该鳍片的该部分中的该半导体材料与包含内部应变的第二晶体结构再结晶。