一种碲化铋和/或碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明提出一种N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料及其制备方法。采用本发明的制备方法制备出来的N型碲化铋和/或P型碲化锑基热电薄膜材料，不但可以使得厚度降到1mm以下，同时还能保持很高的折弯次数，便于在便携产品上使用，使得热电薄膜产品在厚度和性能上产生了根本性的改变。此外，本发明的热电薄膜的制备方法采用化学气象沉积(简称CVD)，设备成本和工艺成本都较低。