LED制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除装置及方法

摘要

本发明公开了一种LED制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除装置，包括：一反应腔体；以及一蚀刻目标物，该蚀刻目标物收容于该反应腔体的一固定元件中，其中该反应腔体内部控制在温度250℃～950℃及30至70000帕大气压的压力，10分钟至3小时的工程时间内提供氯气，清除该蚀刻目标物表面上的氮化镓(GaN)膜。以及，本发明更包括一种LED制造用图案化蓝宝石基板的氮化镓薄膜清除方法。因此，本发明对母材不会有影响，清除蚀刻目标物表面上的氮化镓(GaN)膜后，蚀刻目标物能够再次使用，无须再进行图案化蓝宝石基板(PSS,patterned sapphire substrate)加工，立刻可以使用。