基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法

摘要

本发明公开了一种基于Ⅱa型天然金刚石的同质外延生长单晶金刚石的方法，该方法包含以下步骤：第一步，提供制造单晶金刚石材料的反应装置；第二步，将作为晶种的Ⅱa型天然金刚石放在装置的样品台上，将处理气体通入反应腔中，利用等离子体刻蚀Ⅱa型天然金刚石，利用发射光谱进行一次诊断；第三步，调节装置的工艺参数，进行单晶金刚石的同质外延生长，利用发射光谱进行二次诊断；第四步，沉积单晶金刚石完成；本发明利用微波等离子体化学气相沉积法高温刻蚀Ⅱa型单晶金刚石，利用产生的碳源生长金刚石，能有效提高单晶金刚石生长所需碳源的纯度，得到的单晶金刚石质量好，且生长出的单晶金刚石为与基底相对应的规则形状，提高利用率。