在热CVD期间使配位体共同流动来填充高深宽比沟槽的工艺

摘要

本公开内容的实现方式总体涉及用于在高深宽比特征限定中形成薄膜的方法。在一个实现方式中，提供一种在工艺腔室中处理基板的方法。所述方法包括：使包含配位体的含硼前驱物流入工艺腔室的内部处理容积中；使包含配位体的含氮前驱物流入内部处理容积中；以及使含硼前驱物和含氮前驱物在内部处理容积中热分解，以便将氮化硼层沉积于形成在基板上的电介质层的表面中及其下方的高深宽比特征限定的至少一个或多个侧壁和底表面上方。