退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN107564930A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中电海康集团有限公司;
申请/专利号CN201610542615.6
发明设计人 戴强;刘少鹏;孟皓;李辉辉;陆宇;刘波;
申请日2016-07-06
分类号
代理机构杭州之江专利事务所(普通合伙);
代理人张慧英
地址 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼701室
入库时间 2023-06-19 04:12:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/22 申请日:20160706
实质审查的生效
2018-01-09
公开
机译: 使用跨漏极至源极电阻的电压降来进行场效应晶体管电流感测的方法和设备,消除了对场效应晶体管温度和/或漏极至源极电阻初始值的统计分布的依赖性
机译: 具有不对称源极和漏极的电阻切换随机存取存储器
机译:一种新的电光传输线测量方法,揭示了源极和漏极接触电阻可能对GaN HEMT动态导通电阻的影响
机译:ln_(0.7)Ga_(0.3)As N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的源极/漏极工程:带原位掺杂的高串联源极/漏极降低串联电阻
机译:一种新颖的单器件直流方法,用于提取新鲜的和热载流子退化的漏极工程MOSFET的有效迁移率和源极-漏极电阻
机译:关于促成短沟道MOSFET漏极电阻和源极电阻之间差异的物理机制
机译:用于降低纳米级FinFET的源极漏极电阻的先进技术。
机译:检测四极杆:锰合金的磁各向异性的隐藏源
机译:具有高al浓度和si-Hp 111衬底的alGaN / GaN HEmT的低源极/漏极接触电阻
机译:Telluric和D.C.电阻率技术应用于盆地和范围地热系统的地球物理调查。第二部分。偶极 - 偶极子和斯伦贝谢电阻率法的数值模型研究