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吴越; 尹勇生; 陈红梅;
合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
电阻补偿; 带隙基准源; 双极工艺; 温度系数; 线性调制率; 电源抑制比;
机译:无电阻高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:不含电阻的高精度补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:5H-苯并d苯并45咪唑并21-b 13噻嗪作为一种新型的电子受体带芯高三重态能量双极主体材料可有效处理可溶液处理的热活化延迟荧光有机光-发光二极管
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:带隙电压基准的高阶温度补偿(I)
机译:在电流源中使用双极寄生晶体管和MOSFET的带隙基准电压源
机译:带隙基准电压源中的电阻调整
机译:具有负温度电阻的低压工作,低输出带隙基准电压源电路
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