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易峰; 吴旭; 张又丹; 何颖;
中国电子科技58研究所,江苏,无锡,214035;
湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;
基准电压; 带隙基准; 电源抑制比; 双极工艺;
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:具有虚拟二极管连接的MOS晶体管的高PSRR带隙基准电压源
机译:具有0.18%标准偏差和68 nW功耗的带隙基准电压源的可变性设计
机译:5.9ppm /°C分段曲线校正的180nm CMOS工艺中的启动免费带隙基准电压源的设计
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:5H-苯并d苯并45咪唑并21-b 13噻嗪作为一种新型的电子受体带芯高三重态能量双极主体材料可有效处理可溶液处理的热活化延迟荧光有机光-发光二极管
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:通过apCVD实现ZnmgO,在聚酰亚胺模块上实现高性能中间带隙CIGs。 2009年10月至2010年10月
机译:在电流源中使用双极寄生晶体管和MOSFET的带隙基准电压源
机译:CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译:利用标准CMOS工艺采用表面电流的带隙基准电压源
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