法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-02-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20130109 终止日期:20151209 申请日:20101209
专利权的终止
2013-01-09
授权
授权
2011-12-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20101209
实质审查的生效
2011-11-02
公开
公开
机译: 介电电荷陷阱的紧凑型非挥发性存储器件
机译: 制造电荷捕获介电体的方法和制造Sonos非挥发性存储器件的方法
机译: 用于产生适应电荷的气雾剂的系统,用于气雾剂电离的方法,用于表征不挥发物质的方法以及在电晕放电方向前气雾剂着陆的方法