首页> 中国专利> 引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构

引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构，其提供一种在形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构期间引入具有较低蚀刻速率的单扩散中断(SDB)材料的方法。实施例包括在硅(Si)衬底中设置浅沟槽隔离(STI)区域；在该STI区域及该硅衬底上方形成硬掩膜；穿过该STI区域上方的该硬掩膜形成腔体，该腔体具有大于该STI区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子体(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断材料，以形成t形SDB STI结构；以及移除该硬掩膜。

著录项

公开/公告号CN107452670A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-08

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
展开▼

申请/专利号CN201710177358.5
发明设计人彭建伟;吴旭升;
展开▼

申请日2017-03-23
分类号H01L21/762(20060101);H01L21/3065(20060101);H01L21/308(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-06-19 03:59:41

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-05

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20170323

实质审查的生效
2017-12-08

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构 [P] . 中国专利： CN107452670A . 2017-12-08
2. 使用PECVD沉积保形和低湿蚀刻速率的封装层的方法 [P] . 中国专利： CN107393809A . 2017-11-24
3. INTRODUCING MATERIAL WITH A LOWER ETCH RATE TO FORM A T-SHAPED SDB STI STRUCTURE [P] . 美国专利： US2017278925A1 . 2017-09-28

机译：以较低的刻蚀速率引入材料以形成T形SDB STI结构
4. Formation of semiconductor structure by modifying first portion of material layer located over first transistor element, and performing etching process to remove modified first portion at greater etch rate than unmodified second portion [P] . 德国专利： DE102004057809A1 . 2006-06-01

机译：通过修改位于第一晶体管元件上方的材料层的第一部分，并执行蚀刻工艺以比未修改的第二部分大的蚀刻速率去除修改的第一部分，来形成半导体结构
5. Semiconductor device manufacturing method, involves depositing metal oxide material over structure, annealing deposited metal oxide material, and etching formation through another structure using etch stop layer as an etch stop [P] . 德国专利： DE102005042732A1 . 2006-05-24

机译：半导体器件的制造方法，涉及在结构上沉积金属氧化物材料，对沉积的金属氧化物材料进行退火，以及使用蚀刻停止层作为蚀刻停止层来通过另一结构进行蚀刻形成。