化学机械抛光浆料、化学机械抛光的方法及半导体结构的制造方法

摘要

本发明实施例提供一种化学机械抛光CMP浆料、一种用于CMP的方法及一种半导体结构的制造方法。所述CMP浆料包含用于在所述CMP浆料中提供碱性环境的pH值调节剂及用于降低硅的移除率的硅抑制剂。所述CMP浆料用于平坦化操作中以移除半导体区域的部分及硅区域的部分。所述半导体区域包括与硅不同的至少一半导体材料。所述半导体区域形成在与所述硅区域相邻的凹槽中。可通过施加所述碱性CMP浆料而改进粒子缺陷条件，且可使用所述硅抑制剂来修改所述平坦化操作中的所述半导体区域与所述硅区域之间的移除率选择比率。