基于田口方法的GaAs基片化学机械抛光加工工艺研究

摘要

为获得超平滑的GaAs基片表面,以H2O2、CeO2和NH4OH溶液为抛光液,采用化学机械抛光方法对GaAs基片进行了超精密加工.采用田口方法对氧化剂H2O2含量、碱性溶液NH4OH含量、加工载荷、抛光盘转速4个重要影响因素进行了优化设计,得到以表面粗糙度和材料去除率为评价条件的综合最优抛光参数.结果表明,当H2O2质量分数为 30%,NH4OH质量分数为0.08%,加工载荷为18 kPa,抛光盘转速为30 r/min时,可以获得表面粗糙度和材料去除率综合最优的GaAs基片抛光效率.