首页> 中国专利> 半导体存储器件及其弱单元检测方法

半导体存储器件及其弱单元检测方法

摘要

一种半导体存储器件,包括:多个存储块;多个位线感测放大器,所述位线感测放大器被所述多个存储块中相邻的存储块共享,并且适用于感测并放大经由位线从耦接至被激活的字线的存储单元读取的数据,以及经由多个分段数据线输出放大数据;字线驱动器,所述字线驱动器适用于在测试模式期间激活不共享所述位线感测放大器的存储块的字线;以及弱单元检测电路,所述弱单元检测电路适用于:在所述测试模式期间,压缩经由所述多个分段数据线传输的所述放大数据以产生压缩数据,以及基于所述压缩数据来检测弱单元。

著录项

  • 公开/公告号CN107393595A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN201611242723.8

  • 发明设计人 金六姬;

    申请日2016-12-29

  • 分类号G11C29/40(20060101);

  • 代理机构11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人毋二省;李少丹

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 03:52:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/40 申请日:20161229

    实质审查的生效

  • 2017-11-24

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号