一种基于被动残差传递的Flash‑SAR结构ADC

摘要

本发明提供一种基于被动残差传递的Flash‑SAR结构ADC，包括电容阵列、比较器阵列、用于切换电容阵列基准电压的电容阵列切换开关阵列和用于控制电容阵列的次逼近寄存器逻辑控制电路；本发明综合利用了Flash结构ADC速度快和SAR结构ADC功耗低的优点，和传统的Flash结构ADC相比，比较器个数明显减小，充分发挥了Flash结构在低精度量化结构中的高速优点，本发明结构简单，没有功耗损失，提高了转换时间，本发明中的结构功耗和版图面积相较于传统结构的ADC明显减小，同时速度增加。