抗辐射CMOS传输门及包含其的CMOS电路

摘要

本发明公开一种抗辐射CMOS传输门，其包括两个串联连接的传输门。其中，两个传输门中的PMOS管和NMOS管的衬底分别相连并悬空。本发明还公开一种包括上述CMOS传输门的CMOS电路。在本发明中，当在辐照条件或者单粒子效应条件下传输门中输入端的电压稍高于电源电压时，电流不会灌入电源或者地中，保证了传输门的正常工作，提高了抗辐射能力，使得传输门及包含该传输门的CMOS电路满足在辐射环境中的使用要求。