在金属片衬底上生长的GaN纳米线光催化材料及制备方法和应用

摘要

本发明涉及在金属片衬底上生长的GaN纳米线光催化材料及制备方法和应用，将Ga2O3与活性炭放入研钵中进行研磨，混合后的样品置于小方舟内，再将金属片盖在方舟上，位于样品的上方；密封水平管式炉。启动真空泵，炉内真空度抽至0.1MPa时，关闭真空泵，通入Ar气至炉内压力变为常压；加热至生长温度，生长温度：900℃～1000℃，升温阶段通入Ar气；保温，Ar气的流量与升温阶段保持相同；关闭Ar气，通入NH3氨化。最后关闭NH3，打开Ar气并冷却至室温。本发明工艺简便、易控制；在金属片衬底上沉积的一层GaN材料分布均匀、结晶性高。所得的GaN纳米线光催化材料在全光下有长时间稳定的光催化CO2还原能力。