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用于IIIA族N装置的经热处理半导体/栅极电介质界面

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在所描述实例中，一种制作用于功率晶体管装置的栅极堆叠的方法(100)包含对衬底上的IIIA族N层的表面进行热氧化(101)以形成厚度大于5A的氧化物材料的第一电介质层。在所述第一电介质层上沉积(102)为氮化硅或氮氧化硅的第二电介质层。在所述第二电介质层上形成(104)金属栅极电极。

著录项

公开/公告号CN107112357A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-29

原文格式PDF
申请/专利权人德州仪器公司;
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申请/专利号CN201580054576.9
发明设计人 N·S·德拉斯;
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申请日2015-11-03
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人林斯凯
地址美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 03:13:27

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-10-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20151103

实质审查的生效
2017-08-29

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