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厚度可控在曲面生长二氧化硅薄膜材料的方法

摘要

本发明公开了一种厚度可控在曲面生长二氧化硅薄膜材料的方法。对设计曲面载体表面进行表面预处理,以乙醇作溶剂和稀释剂,硅源在酸性条件下水解形成均匀透明的溶胶;加入P123的乙醇溶液增加溶胶的黏性;将所得溶胶用醇类稀释,将设计曲面载体浸泡、提拉、晾干,得到设计厚度的二氧化硅薄膜材料;通过溶胶与醇类的不同质量配比,可实现对金属丝表面包覆二氧化硅薄膜的控制,薄膜厚度约为200nm‑12μm。本发明打破了二氧化硅薄膜在平面载体上成膜生长的局限性,可在曲面基底的均匀包覆,同时操作简单,不需要特殊的加工设备和特定的反应条件,实施起来十分方便。

著录项

  • 公开/公告号CN107117622A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201710212539.7

  • 申请日2017-04-01

  • 分类号

  • 代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人刘洋

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-06-19 03:13:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B33/113 申请公布日:20170901 申请日:20170401

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-09-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/113 申请日:20170401

    实质审查的生效

  • 2017-09-01

    公开

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