公开/公告号CN107068787A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津恒电空间电源有限公司;
申请/专利号CN201611233753.2
申请日2016-12-28
分类号H01L31/0443(20140101);H01L29/88(20060101);H01L21/329(20060101);H01L29/20(20060101);
代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;
代理人刘昕
地址 300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号
入库时间 2023-06-19 03:06:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/0443 申请公布日:20170818 申请日:20161228
发明专利申请公布后的驳回
2017-09-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0443 申请日:20161228
实质审查的生效
2017-08-18
公开
公开
机译: 异质外延单晶的制造方法,异质结太阳电池的制造方法,异质外延单晶的晶体,异质结太阳电池
机译: /异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译: 以及具有双异质结的AlGaAs基发光二极管的制造方法