半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法

摘要

本发明涉及微电子、半导体制造方法技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法。所述半导体芯片包括:基底、基于所述基底制作的器件、贯穿所述基底的通孔、填充于所述通孔并与所述器件接触的导电材料以及制作于所述基底与所述器件相对一侧的背面金属层，所述背面金属层与所述导电材料接触以通过所述导电材料与所述器件电性连接。本发明提供的半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法减小了器件的接地电阻，并改善了有通孔结构的器件在工作状态下的散热问题。