生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本发明还公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片的制备方法，包括以下步骤：(1)硅衬底的清洗；(2)金属铟液滴的沉积：(3)非掺杂含铟氮化镓纳米柱的生长；(4)n型掺杂氮化镓层的生长；(5)铟镓氮/氮化镓多量子阱的外延生长；(6)p型掺杂氮化镓层的外延生长。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。