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机译:使用三乙基镓前体化学气相沉积方法在硅衬底上制备m轴InGaN纳米柱阵列
Department of Chemical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10617, Taiwan;
Department of Chemical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10617, Taiwan;
Institute of Atomic and Molecular Sciences, Academia Sinica, Taipei 10617, Taiwan;
Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan;
InGaN; m-Axial; MOCVD; Nanocolumn; Triethylgallium;
机译:以一甲基硅烷为前驱体,改进在150 mm硅衬底上进行多晶碳化硅低压化学气相沉积工艺参数
机译:金属有机化学气相沉积法在硅衬底上的多层缓冲层上生长的InGaN / GaN量子阱增强的蓝光发射
机译:使用环己烷前体通过化学气相沉积法在氧化硅衬底上生长多壁碳纳米管
机译:通过选择性化学气相沉积在AZ 5214〜(TM)图案化硅基板上的细铜线的制造
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积沉积非晶硅和硅基电介质:在制造TFT和MOSFET中的应用
机译:汽液化学气相沉积法在钽基板上制备InxGa1-xN纳米线
机译:通过热线化学气相沉积在塑料衬底上低温度沉积非晶和微晶硅膜