一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件

摘要

本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。