Gallium nitride; HEMTs; Mathematical model; Logic gates; Integrated circuit modeling; Power electronics; Wide band gap semiconductors;
机译:体氮化镓功率半导体器件的建模与仿真
机译:紧凑,便携式和易于使用:氮化镓大功率放大器设计的晶体管建模的观点
机译:使用高级测量技术的模块化/多电平转换器的硅和氮化镓200 V功率半导体的实验表征
机译:基于物理的紧凑型氮化镓功率半导体器件模型,用于高级功率电子设计
机译:下一代电力电子宽带隙半导体器件的基于综合行为和物理学建模
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:氮化镓的表征与建模\ ud 功率半导体器件动态通态 抵抗性