没有多晶硅发射极的联栅晶体管

摘要

本发明涉及一种没有多晶硅发射极的联栅晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有N型的高掺杂浓度的发射区，该发射区的上面连接发射极金属层，其特点是：所述基极金属层与浓基区汇流条的上表面相连接，所述浓基区上面与发射区连接。本发明的优点是：能够提供更均匀的电流分布，具有较强的抗冲击能力，具有更好的一致性，而且成本更低。