用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法

摘要

本发明涉及一种用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样制备方法，其包括以下步骤：(1)去除整个IGBT模块的外壳和盖板；(2)去除IGBT芯片表面的硅胶；(3)加热IGBT模块并取下IGBT芯片；(4)对IGBT芯片进行镶样处理；(4)对镶好的试样进行磨削和抛光处理。本发明的优点在于可以制备用于观测IGBT芯片Al金属化层剖面微结构的试样，并且试样制备方法简单，能够清晰地观测到Al金属化层的剖面微结构。