浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法和浮栅型闪存的制作方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离浮栅结构的制作方法和浮栅型闪存的制作方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成一电子通道层和一电子存储层然；在所述电子存储层上形成图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀所述电子存储层、电子通道层和部分半导体衬底，形成若干沟槽，再去除所述图形化光阻层；在所述沟槽内填充绝缘材料，所述绝缘材料覆盖所述电子存储层；采用化学机械研磨工艺去除所述电子存储层上的绝缘材料，形成浅沟槽隔离浮栅结构。本发明工艺简单，成本较低，同时，避免了电子存储层表面在研磨中产生凹陷的问题，提高了半导体器件的良率。