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二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件

摘要

本发明公开了一种二维硒氧化铋晶体及近红外光电探测器件。该制备二维硒氧化铋晶体的方法,包括如下步骤:以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料,在基底上进行化学气相沉积,沉积完毕得到所述二维硒氧化铋晶体。用该种方法得到的二维硒氧化铋近红外探测器,被有效应用在近红外探测、显示、成像上。

著录项

  • 公开/公告号CN106783552A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京大学;

    申请/专利号CN201710056998.0

  • 申请日2017-01-22

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);H01L31/09(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人关畅

  • 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学化学院

  • 入库时间 2023-06-19 02:26:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170122

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

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