碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种碳化硅多台阶沟槽结终端扩展终端结构，包括碳化硅衬底层；形成于衬底层上第一半导体层，设置于第一半导体层表面的多台阶沟槽结构，覆盖于多台阶沟槽结构上方的钝化层，设于第一半导体层内的结终端扩展结构，且结终端扩展结构位于多台阶沟槽结构的下方，结终端扩展结构包围多台阶沟槽结构；设置于第一半导体层内的有源区，该有源区与结终端扩展结构邻接。本发明在传统平面结终端扩展结构的基础上加入多台阶结构，改变了结终端扩展结构中的P‑N结形貌，增大了结边缘曲率，通过在终端中部引入多峰值电场来缓解传统平面结终端扩展两个拐角处出现峰值电场，缓解了结边缘的电场集中效应，从而提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。