Photolithography; Silicon carbides; Avalanches; Blocking; Catastrophic conditions; Cycles; Deposition; Dielectrics; Diodes; Dosage; Edges; Fabrication; Implantation; Interfaces; Junctions; Labor; Lithography; Losses; Measurement; Regions; Reprints; Sensitivity; Thickness; Toler;
机译:耐工艺性单光刻/注入120区结终止扩展
机译:高压SiC器件的单光刻/注入120区结终止扩展
机译:单个P〜+离子注入工艺制备1.2 kV Ni / 4H-SiC结势垒控制的肖特基二极管
机译:工艺容忍单光刻/注入120区结终端延伸
机译:双边人工耳蜗语音处理管道的单处理器方法。
机译:用甲胺增强CT在屈曲和延伸中评估颅脑连接和寰枢膜关系。
机译:具有多浅沟道结终止扩展的5.8kV无植入4H-SiC BJT