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使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成

摘要

描述了用于使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成的系统和途径。在实例中,用于表征锗化硅膜的方法包括产生X射线束。将样品定位于所述X射线束的路径中。收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱(XPS)信号。还收集用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光(XRF)信号。由XRF信号或XPS信号或两者测定锗化硅膜的厚度或组成或两者。

著录项

  • 公开/公告号CN106461428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞沃拉公司;

    申请/专利号CN201580032862.5

  • 发明设计人 希思·A·波伊斯;李维迪;

    申请日2015-04-21

  • 分类号G01D21/02(20060101);G01B15/02(20060101);G01N23/227(20060101);G01N23/223(20060101);

  • 代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人张英;宫传芝

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 01:42:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G01D21/02 登记生效日:20180305 变更前: 变更后: 申请日:20150421

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-04-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01D21/02 申请日:20150421

    实质审查的生效

  • 2017-02-22

    公开

    公开

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