公开/公告号CN106486363A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201510551408.2
申请日2015-09-01
分类号H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101);H01L21/02(20060101);H01L21/3065(20060101);
代理机构32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2023-06-19 01:42:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/335 申请日:20150901
实质审查的生效
2017-03-08
公开
公开
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: 增强型III族氮化物HEMT器件的制造方法以及由其制造的III族氮化物结构
机译: III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法