机译:纳米生长的AGGO蓝宝石衬底上III族氮化物发光二极管的金属有机气相外延生长
机译:通过金属有机气相外延在SiC上生长的AlInN HEMT用于毫米波应用
机译:III型氮化物金属有机气相外延中气相反应的热力学考虑
机译:金属有机气相外延和氢化物气相外延的选择性地区生长和外延横向过度生长
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:有机金属气相外延过程中GaN(0001)和(000-1)的CH4吸附概率及其与膜中碳污染的关系
机译:GaAs金属有机气相外延生长工艺可减少Ge从Ge衬底向外扩散
机译:金属有机气相外延1986.金属有机气相外延国际会议论文集(第3期)于1986年4月13日至17日在加利福尼亚州环球城举行