针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法

摘要

本发明提供了一种针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法，包括：第一步骤：衬底中形成半浮栅阱区，在衬底表面形成氧化物层，并且在半浮栅阱区中形成由隔离区隔开的半浮栅凹槽；在氧化物层上依次形成SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，并形成光刻胶层的图案；利用形成图案的光刻胶层刻蚀抗反射涂层、SOC材料层和氧化物层以形成在氧化物层中形成开口；去除SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，其中去除了半浮栅凹槽中的SOC材料层；清洗暴露的氧化物层；在清洗之后沉积栅极多晶硅层。