一种带杂质分凝的复合源MOS晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种结合杂质分凝肖特基和带带隧穿的复合源MOS晶体管及其制备方法，该复合源MOS晶体管包括一个控制栅电极层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，控制栅的一端向高掺杂源区延展成T型，延展出来的栅区为延展栅，原控制栅区为主栅，高掺杂源区由半导体高掺杂形成，位于延展栅的沿有源区宽度方向的两侧，在高掺杂源区远离沟道方向的一侧连接一个带杂质分凝的肖特基源区。本发明与现有的MOSFET相比，在同样的工艺条件，同样的有源区尺寸下可以得到更高的导通电流、更低的泄漏电流以及更陡直的亚阈值斜率。