Microelectron. Program (PGMICRO), Fed. Univ. of Rio Grande do Sul (UFRGS), Porto Alegre, Brazil;
机译:1V以下15ppm /°C CMOS带隙基准电压源,无需低阈值电压器件
机译:SUB-1 V,5.5 ppm /°C,高PSRR全部CMOS带隙电压参考
机译:1.8 V 0.918 PPM /°C CMOS带隙电压参考,曲率补偿
机译:CMOS 25.3 PPM° / c使用自级级联复合晶体管的带隙电压参考
机译:一款精确,无扰动,高PSRR,低压,CMOS带隙基准IC。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:CMOS电压参考使用自级级共级复合晶体管和肖特基二极管