机译:利用肖特基势垒二极管提高了负电压源的CMOS IC的闩锁免疫力
机译:具有集成肖特基二极管的高压容差数字辅助DCM / PWM多相DC-DC升压转换器,采用0.13 µm 1.2 V数字CMOS工艺
机译:基于0.3–1.2 V肖特基的CMOS ZTC电压基准
机译:使用自级联复合晶体管的CMOS 25.3 ppm°/ C带隙基准电压源
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:使用基于二极管连接的CMOS晶体管的UHF微功率CMOS整流器的射频能量采集系统
机译:使用基于肖特基二极管的基准电压源的低压CMOS温度传感器设计