一种硅酸镓镧系列晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种硅酸镓镧系列晶体生长方法，包括如下步骤：（1）将原料粉体压制成料块；（2）在坩埚中装入料块，然后进行加热；（3）坩埚内温度达到1000℃以上，将原料粉体添加进坩埚；（4）原料全部熔化后，升温到熔点以上20℃～100℃，过热0.2h～2h；（5）使用所需晶向籽晶引晶，待原料溶体在籽晶下端结晶后，向上提拉籽晶，同时转动籽晶；（6）生长过程完成后，将晶体从熔体中提脱，并降到室温。本发明采用预压制料块填充，粉体高温添加的方式，降低了由于原料中各组分挥发系数的不一致，造成各组分配比发生变化的风险，一定程度上降低了晶体出现包裹、多晶等缺陷的情况。